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过载瞬态仿真结果额定稳态长时间运行时,单个IGBT芯片损耗为78.7W,单个Diode芯片损耗为23.4W。过载工况为每个芯片每10min内可允许120% 过载,过载时间为持续1min,允许连续出现过载,即1H内出现6次1.2倍过载。按1.2倍过载,单元输出电流为356.4A时,单个IGBT芯片损耗
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