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功利用率的提高，关键点在于如何有效的对IGBT单元进行合理和有效的散热。功率单元在使用两个FF450R17ME4模块达到66%利用率的额定工况时，IGBT输出频率50Hz，开关频率650Hz，功率因素0.9，单元输出电流为297A，单个IGBT芯片损耗为78.7W，单个Diode芯片损耗为23.4W
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